NÜRDAM özellikle katıhal dedektör teknolojileri üzerinde yoğunlaşmaktadır. Yarı iletken dedektörleri olarak da bilinen katıhal dedektörleri yapı olarak, silikon ya da germanyum gibi yarı iletken tabaka üzerine büyütülmüş, radyasyona hassas kısmı barındıran yapılardır. Yapılar iyonlaştırıcı radyasyona maruz kaldığında dedektörün cinsine göre P-N kavşak noktalarından ya da Schottky kavşak noktalarından akım geçer. Genel olarak cihazlarda, radyasyonun soğurulmasıyla birlikte materyalde radyasyonun enerjisine göre çok sayıda yük taşıyıcıları oluşur (yük taşıyıcıları elektron ve hol adı verilen elektron boşluklarıdır). Bu yapılara bir voltaj uygulandığında elektriksel alanında etkisiyle oluşan elektron ve holler yapının zıt kutuplarına doğru hareket ederler ve bir akım oluştururlar. Bu akım gerekli işlemler yapılarak büyütülür, kaydedilir ve sonra analiz edilerek akıma neden olan radyasyon hakkında spesifik bilgilere ulaşılır. Kalibrasyonu yapılmış akım şiddetiyle de alınan radyasyon doz miktarı bulunur. P-N kavşak noktalarını mikroelektronik sistemlere entegre etmek için alan etkili transistörler (MOSFET) kullanılır. Bu alanda kullanılan MOSFET yapılarına  daha spesifik olarak RadFET (Tyndall, İrlanda) denir. RadFET’ler bütün iyonize radyasyonları algılayabilen ve toplam doz ölçümünü yapabilen bütünleşik sistemlerdir.  RadFET’ler diğer dozimetre türleriyle karşılaştırıldıklarında çok küçük ebatlarda olması, hafif olması ve düşük güç ile çalışabilmesi gibi üstün özellikleri vardır. Uzun bir gelişme sürecinden sonra Tyndall uluslararası alanda kullanılan ve ticari değeri bulunan birçok dozimetre sistemleri üretmektedir. Üretilen bu dozimetreler farklı duyarlılıkta ve uzay, nükleer ve medikal alanlarında etkin olarak kullanılmaktadırlar. Ancak kliniklerde kullanılan dozimetre sistemleri uzay ve nükleer gibi diğer uygulama alanlarında kullanılanlardan daha hassas olmak zorundadır. Bu nedenle ana çalışmalar RadFET tipi dedektörlerin duyarlılığını arttırmaya yöneliktir.

Detaylı çalışma prensibini incelersek, MOS transistörlerinin yüksek enerjili radyasyona maruz kalmasıyla, elektron-hol çiftleri oluşmaktadır. Oluşan elektron-hol çifti oksit tabakada yer almaktadır ve toplam maruz kalınan radyasyon ile orantılıdır. Şekil P- tipi yarıiletken altlığa ait MOS kapasitörlerine pozitif voltaj uygulamasının sonucunda oluşan MOS yapının bant diyagramıdır ve oluşan yük taşıyıcılarının cihaz üzerindeki hareketleri şekildeki gibidir.

Powered by Abant İzzet Baysal Üniversitesi 2016