Nükleer Radyasyon Dedektörleri Uygulama ve Araştırma Merkezi bünyesinde yürütülen proje ve tez çalışmaları ilk meyvelerini vermeye başladı. Yerli ve milli teknolojilerin ilk önemli çıktısı olarak radyasyona duyarlılığı arttırılmış geleneksel SiO2 geçit dielektrikli p-kanallı MOSFET olarak bilinen yonga işleme teknolojisini ürünü olan NürFET çipleri başarılı bir şekilde üretildi.
NürFET algılayıcılarında doz ölçümü eşik voltajındaki değişimlerden faydalanılarak yapılmaktadır. Radyasyon tarafından oluşturulan pozitif yükler kapı-oksit tabakada tuzaklanarak eşik voltajında (Vth) değişime neden olmaktadır. Bu değişim radyasyon dozuna göre kalibre edilerek, alınan doz miktarı ölçülmektedir.
NürFET Çiplerinin Teknik Özellikleri
Üretilen Materyal: Silikon Alttaş
Çip Boyutu: 0.680x 0.680x 0.5 mm3
Dizayn: Tek çipte 2 adet NürFET, 1 adet diyot
Diyot Alanı: 0.05 mm2
Üretim Yılı: 2017-2018
Duyarlılık : 3.4 mV/Gy (100 nm Geçit Oksit Kalınlıklı NürFET)
ibu.edu.tr